株式会社村田制作所(TOKYO: 6981)(以下简称“村田”)初次开发(1)并开始量产了1210英寸(3.2×2.5mm)尺寸、额定电压1.25kV、具备C0G特性的、15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器(以下简称“本产品”)。该产品可用于车载充电器(OBC)(2)及高性能民用电子设备的电源电路,有助于实现高效率的电力变换,并在高电压条件下稳定运行。
(1) 由村田调查得出。截至2025年12月1日。 |
(2) 车载充电器(OBC):安装于电动汽车(EV)上,从外部电源为车载电池充电的装置。 |
在电动汽车搭载的车载充电器以及民用设备的电源电路中,通常会包含用于高效电力变换的谐振电路,以及用于遏制电流、电压峰值的缓冲(吸收)电路。由于这两类电路中高电压与大电流反复作用,元件性能的轻微变化就可能导致效率下降、设备发热,进而可能引发工作异常或故障。因此,市场亟需具备在温度变化下性能稳定、损耗低且能承受高电压的电容器。
近年来,电源电路中的开关器件(3)正从Si MOSFET(4)向能够实现更高效率与高速开关的SiC MOSFET转移。SiC MOSFET(5)通常要求1.2kV的耐压规格,因此对额定电压高于该水平的电容器需求在增加。
(3) 开关器件:以高速对电流进行通断控制,实现电压与频率变换的半导体器件。 |
(4) Si MOSFET:采用硅半导体的电力控制用开关器件。多用于低至中耐压场景。 |
(5) SiC MOSFET:采用碳化硅的高耐压、高效率电力控制用开关器件。多用于超过1.2kV的场景。 |
为此,村田通过特有的陶瓷素体与内部电极薄层化技术,首次在1210英寸尺寸实现了额定电压1.25kV、具备C0G特性、静电容量为15nF的本产品,并已开始量产。借助C0G特性的低损耗及电容随温度变化的稳定性,本产品适用于谐振电路与缓冲(吸收)电路。
今后,村田将继续推进多层片式陶瓷电容器的小型化、电容值扩展以及额定电压的提高,扩充产品阵容以满足市场需求,从而助力电子设备的小型化、高性能化与多功能化。同时,村田将通过在MLCC制造过程中更有效地利用天然资源、减少废弃物并推进循环利用等举措,以降低环境负荷。
主要特点
在1210英寸(3.2×2.5mm)尺寸、额定电压1.25kV且具备C0G特性的前提下,实现了特大15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器。
1.25kV高耐压,适配SiC MOSFET。
C0G特性带来低损耗与稳定的电容值。
主要规格
芯片尺寸代码(英寸/毫米) | 1210英寸(3.2×2.5mm) |
温度特性(对应标准) | EIA |
温度特性 | C0G |
工作温度 | -55~125℃ |
电容值 | 4.7~15nF |
电容容差 | ±1~±5% |
额定电压(DC) | 1,250Vdc |
产品网站
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关于村田制作所
村田制作所是一家全球性的综合电子元器件制造商,主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售业务。致力于通过自身开发积累的材料开发、工艺开发、商品设计、生产技术以及对它们提供支持的软件和分析评估等技术基础,创造独特产品,为电子社会的发展做出贡献。

【株式会社村田制作所】1210英寸、1.25kV、C0G特性的15nF MLCC
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